二极管晶圆尺寸对照表图（晶体二极管参数）

LED5730灯珠的额定电压和电流是多少?

1、红、黄光的电压一般在9—4V左右；蓝、白、绿光的电压一般在9—6V之间。功率是0.2W的话，额定电流为60mA；功率是0.5W的话，额定电流为150mA ee。LED5730的特点：5730贴片led采用硅胶封装；它工作寿命长；无紫外线、红外线辐射；可供白光(2200-12000K)；高显色性产品。

2、工作电压：24V。工作电流：150mA。光通量：4060LM。色温范围：60007000K，27003300K，也有其他色温如1100013000K等可选。规格尺寸：7*0*0.8mm。发光角度：120度。衰减数据：3000小时内衰减3%以下。LED贴片寿命：大于5万小时。

3、正向电压：5730灯珠的典型正向电压范围在03伏特，确保在正常工作条件下提供稳定的光输出。反向电压：5730灯珠能承受的反向电压大约为5伏特，确保在安装和使用时的电气安全。电流参数：5730灯珠的正向脉冲电流为500mA，这对于控制亮度和效率至关重要。

二极管短路输出功率为什么变大?

1、）由于二极管的单向导电性，交流电流的每一个周期中只有半个周期能从二极管通过。没有串联二极管的时候，次级电压最大值是√2 U2（U2是有效值），串联了二极管后，次级电压最大值是√2 U2/。据此判定A是错的。3）懂了二极管的单向导电性，二极管短路时，输出功率加倍就迎刃而解了。把另一半电压找回来了，功率自然也回来了。

2、二极管短路后，输出功率加倍，则输入功率加倍P入＝IU1，因为U1不变，所以I1加倍，电流表的示数加倍，D正确。

3、电流过大是引起二极管发热的主要原因，负荷超载，电流太大。二极管在电路中要消耗电能，所以发热，发热后这些热量能通过散热模块(散热片，空气 风扇 ...)散发出去，那就不会发烫。如果二极管击穿，可能引起发热。当二级管温度过高，其反向恢复电流增大，反向恢复时间，恢复电荷都会变大。

4、短路III：在逆变器中，由于续流二极管导通模式，IGBT可能在占空比较低时遭受短路，主要受反向恢复影响，可能导致二极管故障。短路对IGBT的影响：短路的危害主要体现在IGBT发射区的烧毁，伴随着大面积的损伤。不同制造商的IGBT在短路过程中的表现相似，都会面临动态短路峰值电流的挑战。

dmd芯片尺寸与分辨率

1、目前家用投影仪上常用的DMD芯片尺寸有0.23″、0.33″和0.47″三种。0.23″DMD芯片对应原生540P分辨率，常用于入门级投影仪。0.33″DMD芯片对应原生720P分辨率，常用于中高端投影仪。0.47″DMD芯片对应原生1080P分辨率，多用于旗舰级投影仪。

2、DMD芯片大小决定物理分辨率：DMD芯片上的镜片数量直接决定了投影仪的物理分辨率。镜片越多，意味着像素越高，从而能够呈现出更加细腻、清晰的画面。因此，在选购投影仪时，物理分辨率是一个重要的参考指标。DMD芯片大小影响色彩表现：除了物理分辨率外，DMD芯片的大小还会影响投影仪的色彩表现。

3、在投射同样尺寸的画面时，采用0.47dmd的投影仪会比采用0.33dmd的投影仪画面更加清晰。这是因为0.47dmd芯片的物理像素数量更多，能够提供更高的分辨率和更细腻的画面细节。

4、.33dmd：可以投出1920乘720个像素，分辨率达到标准的720P。0.47dmd：可以投出1920乘1080个像素，分辨率达到标准的1080P，显示效果更为细腻。此外，由于微镜的数量和分辨率的不同，0.47dmd芯片的价格通常会高于0.33dmd芯片。在选购时，可以根据实际需求和预算来选择合适的产品。

5、原生1080P分辨率：0.47DMD芯片支持1920*1080的原生1080P分辨率，这意味着它能够提供更清晰、更细腻的画面效果，满足用户对高清画质的需求。性价比优势：在众多DLP芯片中，0.47DMD芯片因其1080P的原生支持和兼容2K的特性，性价比极高。

良率90%,成本仅为硅器件的1.5倍!碳化硅将革IGBT的命?

1、JBS二极管的泄漏电流远低于行业标准的100 A。此外，PRESiCETM制造的碳化硅功率MOSFET在测量中显示，90%的器件的最大导通电阻小于典型值的3倍，良率超过90%，阈值电压也符合数据表要求的±30%范围内。

2、降低导通和开关损耗：碳化硅材料的特性降低了IGBT的导通和开关损耗。这意味着在工作时会产生更少的热量，提高了效率并延长了器件寿命。 紧凑尺寸：碳化硅允许制造更小型的IGBT，这在一些空间受限的应用中非常有用。

3、然而，碳化硅的长晶技术曾面临不成熟、晶体内缺陷多等问题，严重影响良率和稳定性、可靠性。此外，碳化硅器件虽然性能强，但成本高昂，难以找到合适的应用场景。直到特斯拉提出使用碳化硅替代硅，并将其大胆应用于Model 3车型上，碳化硅才迎来大规模上车阶段，因此业内认为碳化硅的发展元年是在2019年。

4、这种芯片相比起硅基的IGBT芯片，温度耐受力高达5-8倍，能在非常高温的环境中持续稳定工作。而纯电车功率模块芯片的工作环境，正好就相当恶劣(主要是温度高)。

晶圆的尺寸

晶圆，又称wafer，是半导体制造的基础材料。

晶圆的尺寸通常以直径来表示，常见的计量单位有毫米和英寸。

单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径一般分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，所以12英寸生产的IC比8英寸生产的IC更多。单位成本不同：12英寸的单位成本比8英寸更低，英寸更大成本越低。

晶圆的尺寸多种多样，常见的有1英寸（25毫米）、2英寸（51毫米）、3英寸（76毫米）等，直到12英寸（300毫米）和17英寸（450毫米）的大型晶圆。它们通常以直径来衡量，而12英寸和17英寸的晶圆分别被称为“6英寸”和“8英寸”或“12英寸”晶圆，以及“150毫米”和“200毫米”的等效称呼。

尺寸表示：晶圆的尺寸通常以直径来表示，如8英寸、12英寸等，实际对应的是200毫米、300毫米等。标准尺寸：常见的晶圆尺寸包括1英寸至675毫米。尺寸意义：尺寸越大，晶圆上能承载的电路元件越多，生产效率越高，但同时面临的技术和成本挑战也越大。