硅二极管电压对照表图（硅二极管参数表）
怎样分析二极管的伏安特性曲线
1、正向特性 特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值Uon时，正向电流才明显增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
2、分析并比较光电二极管四条伏安特性曲线的区别如下：光照射在光电管的光阴极上能够激发出能量不同的电子。阳极电压低时，只有能量高的电子能够到达阳极，升高阳极电压使低能量的电子也能到达阳极。所以曲线低端，阳极电压越高，光电管的输出电流越大。根据爱因斯坦光量子假说，一个光子的能量只能传给一个电子。
3、二极管的伏安特性曲线是：外加电压Uw方向为P→N时，Uw大于起动电压，二极管导通；外加电压Uw方向为N→P时，Uw大于反向击穿电压，二极管击穿。二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。
4、二极管的伏安特性是指流过二极管的电流iD与加于二极管两端的电压uD之间的关系或曲线。用逐点测量的方法测绘出来或用晶体管图示仪显示出来的U～I曲线，称二极管的伏安特性曲线。下图 是二极管的伏安特性曲线示意图，依此为例说明其特性。
5、在电路接通后，示波器将显示一个伏安特性曲线图。根据二极管的类型和特性，这个曲线可能表现出不同的形状。对于理想的硅二极管，曲线通常呈现出一个明显的正向导通区和一个反向截止区。通过观察这个曲线，可以分析二极管的导通电压和最大工作电流等参数。这对于理解二极管的工作原理和优化电路设计非常重要。
几个硅整流二极管并联后正向导通时各个管子会因为通过各自的电流较小...
你的理解错误。不会因电流不等而电流不同，而是电压相等而电流不同。几个二极管并联后，获得的电压必然相等，这和所有并联电路都一致------所有并联的元件获得的电压都相等。此时，导通电压阈值较低的二极管在相同的电压下，导通电流必然较大。
因为二极管具有单向导电性，正向电阻非常小，反向电阻非常大，所以5V的干电池直接接到(正向接法)二极管两端，二极管的电流非常大，电路出现短路，最后烧毁二极管。二极管通常是晶体二极管。
两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联，每只分担电路总电流的三分之一。总之，有几只二极管并联，流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是，在实际并联运用时，由于各二极管特性不完全一致，不能均分所通过的电流，会使有的管子困负担过重而烧毁。
可以用IN5408，1N4007代换。二极管RL207最大重复峰值反向电压：1000V，最大正向平均整流电流：2A。二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。
二极管加正向电压就会导通：错误。二极管的正向电压需要大于等于其最低导通电压才会导通。这个电压一般是零点几伏到一点几伏。二极管的概念 二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。
设二极管是理想二极管,判断二极管状态并求出输出电压
左面电压源是6V，右面是9V。二极管能导通，由于二极管是理想二极管，其压降=0；U0是上正下负标注，则U0=-6V。当换成左面12V时，二极管不能导通，U0=0V。
二极管VD导通状态，输出电压Uo=-12V 因为二极管阳极电压为15-12=+3V，阴极通过电阻接到电源-极，所以为正向，导通状态，理想二极管压降为0，所以左边的电源-12V通过二极管到Uo。
将二极管输出端口看作一个二端网络，二端网络的开路电压为10v。将+15v电源短路到地，得到二端网络的输入电阻为r0=10kω//20kω=20/3 kω。根据戴维南等效定理。
先假设二极管都是截止的，再慢慢分析它们能否导通。a图，D1的正极是＋5V，负极是＋3V，肯定会导通，V0＝＋5V；D2将是截止的。b图，D1是截止的，此时暂时认为：V0＝＋3V；那么D2将是导通的，这时，会有：V0＝0V。
理想二极管的话，导通后就相当于一个导线，将与二极管并联的3K电阻短路掉，所有电流全部流过二极管，电流大小等于 6V / 3k = 2mA 输出电压为零。
Si二极管的正向导通电压是多少?
从理论计算上来说，二极管正向是一直导通，正向电流是关于正向压降的类指数函数：当Va很小时，Id很小，近似认为没有电流，二级管是截止的；当va增加到id较为明显时（人为规定的，如1mA）时认为它导通，称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加，所以计算出的VF较小。
典型二极管模型存在导通和开启电压，且二者相等，导通电压恒定，一般来说Si管的导通电压为0.7伏，Ge管的导通电压为0.2v 通用二极管模型对二极管模型描绘的更加详细，我们考虑他的电阻，所以导通电压大于开启电压（因为电阻有电流流过会分压），导通时相当于电压源和电阻串联。
硅二极管的导通电压一般在0.6-0.7V之间，这个只是导通电压的一个波动范围，如果说0.5v以上就导通，是不专业的说法，也不规范 二极管的正向导通电流是毫安级的，正向工作电流一般都是安培级的，具体的看型号而定。
二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压！0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
有两种二极管，一种是锗管，正向压降为0.3伏，一种是硅管，正向压降为0.7伏。
半导体二极管(硅管)的导通电压是多少
半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
二极管导通，Uao = -3V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）VD1不导通，VD2导通，Uao = -0.7V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）假设不加二极管（以o点为0点位点），那么左右的电压分别为-3V和-6V，左边的电位比右边的高，所以加上二极管也不会导通。那么输出电压就是-6V。
二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
锗二极管的导通压降通常在0.15至0.2伏特之间，而硅二极管的导通压降则大约在0.5至0.7伏特。相比之下，肖特基二极管的导通压降相对较低，大约在0.2至0.3伏特。值得注意的是，二极管的导通压降并非固定不变，它会根据流过二极管的电流大小而变化。
二极管的图是什么样的?
二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管具有能量脉冲额定值，在周期性应用中会单次甚至重复吸收能量。为保险起见，将二极管并联或串联使用，以便略微分散应力。
这属于SOT-23封装形式的二极管，根据器件上边的丝印不同，二极管的参数不同，但是只有一点是相同的，就是在里边封装单个二极管的情况下，1脚接二极管正极，3脚接二极管负极，2脚为空脚。
二极管的图如下所示：二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。
